Заведующий отделом материаловедения и технологии базовых процессов микроэлектроники Института химических проблем микроэлектроники.
Родился 25 июня 1935 г. в г. Кутаиси.
Окончил Московский институт стали и сплавов в 1963 г., доктор физико-математических наук, профессор.
Член-корреспондент РАЕН (1995).
Работал ассистентом, доцентом, профессором, заведующим кафедрой материаловедения полупроводников, научным руководителем проблемной лаборатории "Микроэлектроника" МИСиС.
Лауреат премии Совета Министров..